Справочник MOSFET. KP8M10

 

KP8M10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP8M10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KP8M10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP8M10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  tysemi
 kp8m10.pdf pdf_icon

KP8M10

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Typ

Другие MOSFET... KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , KP819AC , KP821A , KP821B , KP826AC , IRLZ44N , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , KP8M8 , KP8M9 , KP8N60D .

History: SI2399DS-T1 | IRLL014PBF | SML20B67F | RP1E100XN | PSMN2R2-40BS | IRC740PBF | KHB5D0N50F2

 

 
Back to Top

 


 
.