KP8M8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP8M8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 7.2 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KP8M8
KP8M8 Datasheet (PDF)
..1. Size:52K kexin
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SMD Type ICSMD Type ICSwitchingKP8M8FeaturesLow on-resistance.Built-in G-S Protection Diode.Small and Surface Mount Package.Power switching, DC / DC converter.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-source voltage VDSS 30 -30 VGate-source voltage VGSS 20 -20 VDrain current Continuous ID 6.0 4.5 ADrain current Pulsed * IDP 24 18
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
