KP8M8 Todos los transistores

 

KP8M8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP8M8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KP8M8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  kexin
 kp8m8.pdf pdf_icon

KP8M8

SMD Type ICSMD Type ICSwitchingKP8M8FeaturesLow on-resistance.Built-in G-S Protection Diode.Small and Surface Mount Package.Power switching, DC / DC converter.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-source voltage VDSS 30 -30 VGate-source voltage VGSS 20 -20 VDrain current Continuous ID 6.0 4.5 ADrain current Pulsed * IDP 24 18

Otros transistores... KP821B , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , 20N50 , KP8M9 , KP8N60D , KP8N60F , KP8N65D , KP977AC , KP978A , KP978BC , KP978GC .

History: STP5NK100Z | SI5441DC | 2N60G-TA3-T | STP5N52K3 | TJ10S04M3L | OSG65R125HF | PHX18NQ11T

 

 
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