KP8M8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP8M8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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KP8M8 datasheet
kp8m8.pdf
SMD Type IC SMD Type IC Switching KP8M8 Features Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package. Power switching, DC / DC converter. Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-source voltage VDSS 30 -30 V Gate-source voltage VGSS 20 -20 V Drain current Continuous ID 6.0 4.5 A Drain current Pulsed * IDP 24 18
Otros transistores... KP821B , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , IRFP450 , KP8M9 , KP8N60D , KP8N60F , KP8N65D , KP977AC , KP978A , KP978BC , KP978GC .
History: TPCA8040-H | 2SJ294
History: TPCA8040-H | 2SJ294
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