KP8M8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KP8M8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для KP8M8
KP8M8 Datasheet (PDF)
kp8m8.pdf

SMD Type ICSMD Type ICSwitchingKP8M8FeaturesLow on-resistance.Built-in G-S Protection Diode.Small and Surface Mount Package.Power switching, DC / DC converter.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-source voltage VDSS 30 -30 VGate-source voltage VGSS 20 -20 VDrain current Continuous ID 6.0 4.5 ADrain current Pulsed * IDP 24 18
Другие MOSFET... KP821B , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , 20N50 , KP8M9 , KP8N60D , KP8N60F , KP8N65D , KP977AC , KP978A , KP978BC , KP978GC .
History: OSG65R125HF | STP5N52K3 | PHX18NQ11T | TJ10S04M3L | 2N60G-TA3-T | STP5NK100Z
History: OSG65R125HF | STP5N52K3 | PHX18NQ11T | TJ10S04M3L | 2N60G-TA3-T | STP5NK100Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337