Справочник MOSFET. KP8M8

 

KP8M8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP8M8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KP8M8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  kexin
 kp8m8.pdf pdf_icon

KP8M8

SMD Type ICSMD Type ICSwitchingKP8M8FeaturesLow on-resistance.Built-in G-S Protection Diode.Small and Surface Mount Package.Power switching, DC / DC converter.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-source voltage VDSS 30 -30 VGate-source voltage VGSS 20 -20 VDrain current Continuous ID 6.0 4.5 ADrain current Pulsed * IDP 24 18

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.