Справочник MOSFET. KP8M8

 

KP8M8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP8M8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KP8M8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP8M8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  kexin
 kp8m8.pdf pdf_icon

KP8M8

SMD Type ICSMD Type ICSwitchingKP8M8FeaturesLow on-resistance.Built-in G-S Protection Diode.Small and Surface Mount Package.Power switching, DC / DC converter.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-source voltage VDSS 30 -30 VGate-source voltage VGSS 20 -20 VDrain current Continuous ID 6.0 4.5 ADrain current Pulsed * IDP 24 18

Другие MOSFET... KP821B , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , IRF1407 , KP8M9 , KP8N60D , KP8N60F , KP8N65D , KP977AC , KP978A , KP978BC , KP978GC .

History: FDU5N60NZTU | IRFH8316 | UTT80N10

 

 
Back to Top

 


 
.