KP8N60D Todos los transistores

 

KP8N60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP8N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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KP8N60D datasheet

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KP8N60D

KP8N60D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KP8N60D This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 correctio

 8.1. Size:382K  kec
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KP8N60D

KP8N60F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description C A This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS _ A 10.16 0.2 + correction and switching mode power suppli

 8.2. Size:246K  inchange semiconductor
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KP8N60D

 9.1. Size:386K  kec
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KP8N60D

KP8N65D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KP8N65D This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 correctio

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