PHB37N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHB37N06LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT404

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PHB37N06LT Datasheet (PDF)

..1. Size:78K philips
php37n06lt phb37n06lt phd37n06lt.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP37N06LT, PHB37N06LT, PHD37N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 37 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 35 m (VGS = 5 V)g Low thermal

6.1. Size:56K philips
phb37n06t 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB37N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 37 Atrench technology the devic

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Liste

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