PHB37N06LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB37N06LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для PHB37N06LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB37N06LT даташит

 ..1. Size:78K  philips
 php37n06lt phb37n06lt phd37n06lt.pdf pdf_icon

PHB37N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP37N06LT, PHB37N06LT, PHD37N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 37 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 35 m (VGS = 5 V) g Low thermal

 6.1. Size:56K  philips
 phb37n06t 1.pdf pdf_icon

PHB37N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB37N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 37 A trench technology the devic

Другие IGBT... OM6N100SA, PHB11N50E, PHB125N06LT, PHB130N03LT, PHB21N06LT, PHB24N03LT, PHB2N50E, PHB2N60E, IRFP250N, PHB3N40E, PHB3N50E, PHB3N60E, PHB42N03LT, PHB44N06LT, PHB45N03LT, PHB4N60E, PHB50N03LT