PHB37N06LT - аналоги и даташиты транзистора

 

PHB37N06LT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHB37N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
 

 Аналог (замена) для PHB37N06LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB37N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  philips
 php37n06lt phb37n06lt phd37n06lt.pdf pdf_icon

PHB37N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP37N06LT, PHB37N06LT, PHD37N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 37 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 35 m (VGS = 5 V)g Low thermal

 6.1. Size:56K  philips
 phb37n06t 1.pdf pdf_icon

PHB37N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB37N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 37 Atrench technology the devic

Другие MOSFET... OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT , PHB130N03LT , PHB21N06LT , PHB24N03LT , PHB2N50E , PHB2N60E , STP75NF75 , PHB3N40E , PHB3N50E , PHB3N60E , PHB42N03LT , PHB44N06LT , PHB45N03LT , PHB4N60E , PHB50N03LT .

History: LSB55R050GT

 

 
Back to Top

 


 
.