Справочник MOSFET. PHB37N06LT

 

PHB37N06LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHB37N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT404

 Аналог (замена) для PHB37N06LT

 

 

PHB37N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  philips
 php37n06lt phb37n06lt phd37n06lt.pdf

PHB37N06LT PHB37N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP37N06LT, PHB37N06LT, PHD37N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 37 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 35 m (VGS = 5 V)g Low thermal

 6.1. Size:56K  philips
 phb37n06t 1.pdf

PHB37N06LT PHB37N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB37N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 37 Atrench technology the devic

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top