KP980A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KP980A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
Paquete / Cubierta: KT-55C-1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KP980A

KP980A Datasheet (PDF)

..1. Size:96K syntez microelectronics
kp980a.pdf

Syntez MicroelectronicsSILICON LDMOS POWER TRANSISTORKP980A7 W, up to 1000 MHz, Enhancement Mode________________________________________________The silicon LDMOS transistor die is designed for large-signal output and driver stages up to 860 MHzfrequency range. This transistor is typically used forconstruction of terminal cascades of power amplifiersor transmitter applications.

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: