KP980A Todos los transistores

 

KP980A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP980A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Paquete / Cubierta: KT-55C-1
 

 Búsqueda de reemplazo de KP980A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KP980A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  syntez microelectronics
 kp980a.pdf pdf_icon

KP980A

Syntez MicroelectronicsSILICON LDMOS POWER TRANSISTORKP980A7 W, up to 1000 MHz, Enhancement Mode________________________________________________The silicon LDMOS transistor die is designed for large-signal output and driver stages up to 860 MHzfrequency range. This transistor is typically used forconstruction of terminal cascades of power amplifiersor transmitter applications.

Otros transistores... KP977AC , KP978A , KP978BC , KP978GC , KP978VC , KP979A , KP979B , KP979VC , 75N75 , KP981A , KP981BC , KP981VC , KPA1716 , KPA1750 , KPA1758 , KPA1764 , KPA1790 .

History: HY4N60T | FQD7N20LTF | STD6N80K5 | HFP8N70U | IPD90N03S4L-03 | AUIRFP4310Z

 

 
Back to Top

 


 
.