KP980A Todos los transistores

 

KP980A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP980A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Paquete / Cubierta: KT-55C-1
     - Selección de transistores por parámetros

 

KP980A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  syntez microelectronics
kp980a.pdf pdf_icon

KP980A

Syntez MicroelectronicsSILICON LDMOS POWER TRANSISTORKP980A7 W, up to 1000 MHz, Enhancement Mode________________________________________________The silicon LDMOS transistor die is designed for large-signal output and driver stages up to 860 MHzfrequency range. This transistor is typically used forconstruction of terminal cascades of power amplifiersor transmitter applications.

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NVTFS5124PL | AP4407GS | IXTQ60N10T | 2SJ130S | IXTH30N60L2 | RU55111R | SSM9971GJ

 

 
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