KP980A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP980A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
Encapsulados: KT-55C-1
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KP980A datasheet
kp980a.pdf
Syntez Microelectronics SILICON LDMOS POWER TRANSISTOR KP980A 7 W, up to 1000 MHz, Enhancement Mode ________________________________________________ The silicon LDMOS transistor die is designed for large- signal output and driver stages up to 860 MHz frequency range. This transistor is typically used for construction of terminal cascades of power amplifiers or transmitter applications.
Otros transistores... KP977AC , KP978A , KP978BC , KP978GC , KP978VC , KP979A , KP979B , KP979VC , 18N50 , KP981A , KP981BC , KP981VC , KPA1716 , KPA1750 , KPA1758 , KPA1764 , KPA1790 .
History: NTD4960N-1G
History: NTD4960N-1G
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