KP980A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KP980A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Тип корпуса: KT-55C-1
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
KP980A Datasheet (PDF)
kp980a.pdf

Syntez MicroelectronicsSILICON LDMOS POWER TRANSISTORKP980A7 W, up to 1000 MHz, Enhancement Mode________________________________________________The silicon LDMOS transistor die is designed for large-signal output and driver stages up to 860 MHzfrequency range. This transistor is typically used forconstruction of terminal cascades of power amplifiersor transmitter applications.
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945