KPA2790GR Todos los transistores

 

KPA2790GR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KPA2790GR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de KPA2790GR MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KPA2790GR datasheet

 ..1. Size:58K  renesas
kpa2790gr.pdf pdf_icon

KPA2790GR

SMD Type IC SMD Type IC MOS Field Effect Transistor KPA2790GR Features Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 =28 m MAX. (VGS =10 V, ID =3A) RDS(on)2 =40 m MAX. (VGS =4.5 V, ID =3 A) P-channel RDS(on)1 =60m MAX. (VGS =-10 V, ID =-3 A) RDS(on)2 =80 m MAX. (VGS =-4.5V, ID =-3A) Low input capacitance N-channel Ciss = 500 pF TYP. P-channel Ciss = 460 pF TYP. Built-in gate protectio

Otros transistores... KPA1764 , KPA1790 , KPA1792 , KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , IRFZ48N , KPCF8402 , KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG

 

 

 

Popular searches

2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055

 

 

↑ Back to Top
.