KPA2790GR Todos los transistores

 

KPA2790GR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KPA2790GR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KPA2790GR Datasheet (PDF)

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KPA2790GR

SMD Type ICSMD Type ICMOS Field Effect TransistorKPA2790GRFeaturesLow on-state resistanceN-channel RDS(on)1 =28 m MAX. (VGS =10 V, ID =3A)RDS(on)2 =40 m MAX. (VGS =4.5 V, ID =3 A)P-channel RDS(on)1 =60m MAX. (VGS =-10 V, ID =-3 A)RDS(on)2 =80 m MAX. (VGS =-4.5V, ID =-3A)Low input capacitanceN-channel Ciss = 500 pF TYP.P-channel Ciss = 460 pF TYP.Built-in gate protectio

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