Справочник MOSFET. KPA2790GR

 

KPA2790GR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KPA2790GR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KPA2790GR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  renesas
 kpa2790gr.pdf pdf_icon

KPA2790GR

SMD Type ICSMD Type ICMOS Field Effect TransistorKPA2790GRFeaturesLow on-state resistanceN-channel RDS(on)1 =28 m MAX. (VGS =10 V, ID =3A)RDS(on)2 =40 m MAX. (VGS =4.5 V, ID =3 A)P-channel RDS(on)1 =60m MAX. (VGS =-10 V, ID =-3 A)RDS(on)2 =80 m MAX. (VGS =-4.5V, ID =-3A)Low input capacitanceN-channel Ciss = 500 pF TYP.P-channel Ciss = 460 pF TYP.Built-in gate protectio

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.