Справочник MOSFET. KPA2790GR

 

KPA2790GR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KPA2790GR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KPA2790GR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KPA2790GR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  renesas
 kpa2790gr.pdf pdf_icon

KPA2790GR

SMD Type ICSMD Type ICMOS Field Effect TransistorKPA2790GRFeaturesLow on-state resistanceN-channel RDS(on)1 =28 m MAX. (VGS =10 V, ID =3A)RDS(on)2 =40 m MAX. (VGS =4.5 V, ID =3 A)P-channel RDS(on)1 =60m MAX. (VGS =-10 V, ID =-3 A)RDS(on)2 =80 m MAX. (VGS =-4.5V, ID =-3A)Low input capacitanceN-channel Ciss = 500 pF TYP.P-channel Ciss = 460 pF TYP.Built-in gate protectio

Другие MOSFET... KPA1764 , KPA1790 , KPA1792 , KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , RU7088R , KPCF8402 , KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 .

History: AP4575GM-HF | CTD03N003 | SSM3K03FE | CM8N80F | IRFS645

 

 
Back to Top

 


 
.