KPA2790GR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KPA2790GR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KPA2790GR Datasheet (PDF)
kpa2790gr.pdf
SMD Type ICSMD Type ICMOS Field Effect TransistorKPA2790GRFeaturesLow on-state resistanceN-channel RDS(on)1 =28 m MAX. (VGS =10 V, ID =3A)RDS(on)2 =40 m MAX. (VGS =4.5 V, ID =3 A)P-channel RDS(on)1 =60m MAX. (VGS =-10 V, ID =-3 A)RDS(on)2 =80 m MAX. (VGS =-4.5V, ID =-3A)Low input capacitanceN-channel Ciss = 500 pF TYP.P-channel Ciss = 460 pF TYP.Built-in gate protectio
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918