KPCF8402 Todos los transistores

 

KPCF8402 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KPCF8402
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET
 

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KPCF8402 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  kexin
 kpcf8402.pdf pdf_icon

KPCF8402

SMD Type ICSMD Type ICSilicon P, N Channel MOS Type TransistorKPCF8402FeaturesLow drain-source ON resistance: P Channel RDS (ON) =60m (typ.)N Channel RDS (ON) =38 m (typ.)High forward transfer admittance: P Channel |Yfs| =5.9S(typ.)N Channel |Yfs| =6.8S(typ.)Low leakage current: P Channel IDSS =-10 A(VDS =-30 V)N Channel IDSS =10 A(VDS =30 V)Enhancement-mode: P Cha

Otros transistores... KPA1790 , KPA1792 , KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , KPA2790GR , RU7088R , KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 .

History: CS5N100P | STP16NS25FP | IPA65R190E6 | P5010AT | DMP6023LFG | STE150N10 | JMSL1006PG

 

 
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