KPCF8402 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KPCF8402
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KPCF8402

KPCF8402 Datasheet (PDF)

..1. Size:96K kexin
kpcf8402.pdf

SMD Type ICSMD Type ICSilicon P, N Channel MOS Type TransistorKPCF8402FeaturesLow drain-source ON resistance: P Channel RDS (ON) =60m (typ.)N Channel RDS (ON) =38 m (typ.)High forward transfer admittance: P Channel |Yfs| =5.9S(typ.)N Channel |Yfs| =6.8S(typ.)Low leakage current: P Channel IDSS =-10 A(VDS =-30 V)N Channel IDSS =10 A(VDS =30 V)Enhancement-mode: P Cha

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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