KPCF8402 Todos los transistores

 

KPCF8402 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KPCF8402
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET
 

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KPCF8402 datasheet

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KPCF8402

SMD Type IC SMD Type IC Silicon P, N Channel MOS Type Transistor KPCF8402 Features Low drain-source ON resistance P Channel RDS (ON) =60m (typ.) N Channel RDS (ON) =38 m (typ.) High forward transfer admittance P Channel Yfs =5.9S(typ.) N Channel Yfs =6.8S(typ.) Low leakage current P Channel IDSS =-10 A(VDS =-30 V) N Channel IDSS =10 A(VDS =30 V) Enhancement-mode P Cha

Otros transistores... KPA1790 , KPA1792 , KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , KPA2790GR , IRFZ46N , KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 .

History: IXTX90N25L2 | MMBFJ309 | NTMFS5C604NL | NCEP40T17AD | TSM3460CX6 | FQP4N25

 

 
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