Справочник MOSFET. KPCF8402

 

KPCF8402 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KPCF8402
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KPCF8402 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  kexin
 kpcf8402.pdf pdf_icon

KPCF8402

SMD Type ICSMD Type ICSilicon P, N Channel MOS Type TransistorKPCF8402FeaturesLow drain-source ON resistance: P Channel RDS (ON) =60m (typ.)N Channel RDS (ON) =38 m (typ.)High forward transfer admittance: P Channel |Yfs| =5.9S(typ.)N Channel |Yfs| =6.8S(typ.)Low leakage current: P Channel IDSS =-10 A(VDS =-30 V)N Channel IDSS =10 A(VDS =30 V)Enhancement-mode: P Cha

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SM2607CSC | IMW120R220M1H | BRCS100N06BD | IAUC100N04S6L014 | 2SJ615 | TPC65R260M | 2SK417

 

 
Back to Top

 


 
.