Справочник MOSFET. KPCF8402

 

KPCF8402 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KPCF8402
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
 

 Аналог (замена) для KPCF8402

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KPCF8402 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  kexin
 kpcf8402.pdf pdf_icon

KPCF8402

SMD Type ICSMD Type ICSilicon P, N Channel MOS Type TransistorKPCF8402FeaturesLow drain-source ON resistance: P Channel RDS (ON) =60m (typ.)N Channel RDS (ON) =38 m (typ.)High forward transfer admittance: P Channel |Yfs| =5.9S(typ.)N Channel |Yfs| =6.8S(typ.)Low leakage current: P Channel IDSS =-10 A(VDS =-30 V)N Channel IDSS =10 A(VDS =30 V)Enhancement-mode: P Cha

Другие MOSFET... KPA1790 , KPA1792 , KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , KPA2790GR , STP65NF06 , KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.