KQB27P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KQB27P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 185 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KQB27P06

KQB27P06 Datasheet (PDF)

..1. Size:64K renesas
kqb27p06.pdf

SMD Type ICSMD Type Transistors60V P-Channel MOSFETKQB27P06TO-263Unit: mmFeatures 4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1-27A, -60V, RDS(on) =0.07 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 33 nC)Low Crss ( typical 120pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche testedImproved dv/dt capability0.81+0.1-0.12.54175 maximum junction temperature rating1gate1Gate2.54

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: