Справочник MOSFET. KQB27P06

 

KQB27P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQB27P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KQB27P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB27P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  renesas
 kqb27p06.pdf pdf_icon

KQB27P06

SMD Type ICSMD Type Transistors60V P-Channel MOSFETKQB27P06TO-263Unit: mmFeatures 4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1-27A, -60V, RDS(on) =0.07 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 33 nC)Low Crss ( typical 120pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche testedImproved dv/dt capability0.81+0.1-0.12.54175 maximum junction temperature rating1gate1Gate2.54

Другие MOSFET... KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , KPA2790GR , KPCF8402 , KQB12P20 , 60N06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 .

History: JFPC8N65D | 2N7218 | HSCB2307

 

 
Back to Top

 


 
.