Справочник MOSFET. KQB27P06

 

KQB27P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: KQB27P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 33 nC

Время нарастания (tr): 185 ns

Выходная емкость (Cd): 510 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KQB27P06

 

 

KQB27P06 Datasheet (PDF)

1.1. kqb27p06.pdf Size:64K _update_mosfet

KQB27P06
KQB27P06

SMD Type IC SMD Type Transistors 60V P-Channel MOSFET KQB27P06 TO-263 Unit: mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 -27A, -60V, RDS(on) =0.07 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 33 nC) Low Crss ( typical 120pF) Fast switching +0.1 0.1max 1.27-0.1 100% avalanche tested Improved dv/dt capability 0.81+0.1 -0.1 2.54 175 maximum junction temperature rating 1gate 1Gate 2.54

Другие MOSFET... KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , KPA2790GR , KPCF8402 , KQB12P20 , APT50M38JLL , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 .

 

 
Back to Top

 


KQB27P06
  KQB27P06
  KQB27P06
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: BUK637-400B | BUK437-500A | CMI80N06 | CMB80N06 | CMP80N06 | MTY30N50E | 2SK3262-01MR | VN88AF | TK290P60Y | SW069R10VS | SUP70040E | SUD25N15-52-E3 | STP30NF10FP | SKS10N20 | SiHA11N80E |
 

 

 

 

Back to Top