KQB27P06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KQB27P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для KQB27P06
KQB27P06 Datasheet (PDF)
kqb27p06.pdf

SMD Type ICSMD Type Transistors60V P-Channel MOSFETKQB27P06TO-263Unit: mmFeatures 4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1-27A, -60V, RDS(on) =0.07 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 33 nC)Low Crss ( typical 120pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche testedImproved dv/dt capability0.81+0.1-0.12.54175 maximum junction temperature rating1gate1Gate2.54
Другие MOSFET... KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , KPA2790GR , KPCF8402 , KQB12P20 , EMB04N03H , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T | AP100N03P | AP100N03D | AP100N03AD | AP01P10I | APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190
Popular searches
ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210