KQB27P06 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги KQB27P06. Основные параметры


   Наименование производителя: KQB27P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KQB27P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB27P06 даташит

 ..1. Size:64K  renesas
 kqb27p06.pdf pdf_icon

KQB27P06

SMD Type IC SMD Type Transistors 60V P-Channel MOSFET KQB27P06 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 -27A, -60V, RDS(on) =0.07 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 33 nC) Low Crss ( typical 120pF) Fast switching +0.1 0.1max 1.27-0.1 100% avalanche tested Improved dv/dt capability 0.81+0.1 -0.1 2.54 175 maximum junction temperature rating 1gate 1Gate 2.54

Другие MOSFET... KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , KPA2790GR , KPCF8402 , KQB12P20 , IRLB3034 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 .

History: IXTX40P50P

 

 
Back to Top

 


 
.