Справочник MOSFET. KQB27P06

 

KQB27P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KQB27P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 185 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для KQB27P06

 

 

KQB27P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  renesas
 kqb27p06.pdf

KQB27P06 KQB27P06

SMD Type ICSMD Type Transistors60V P-Channel MOSFETKQB27P06TO-263Unit: mmFeatures 4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1-27A, -60V, RDS(on) =0.07 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 33 nC)Low Crss ( typical 120pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche testedImproved dv/dt capability0.81+0.1-0.12.54175 maximum junction temperature rating1gate1Gate2.54

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top