Справочник MOSFET. KQB27P06

 

KQB27P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: KQB27P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 33 nC

Время нарастания (tr): 185 ns

Выходная емкость (Cd): 510 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KQB27P06

 

 

KQB27P06 Datasheet (PDF)

1.1. kqb27p06.pdf Size:64K _update_mosfet

KQB27P06
KQB27P06

SMD Type IC SMD Type Transistors 60V P-Channel MOSFET KQB27P06 TO-263 Unit: mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 -27A, -60V, RDS(on) =0.07 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 33 nC) Low Crss ( typical 120pF) Fast switching +0.1 0.1max 1.27-0.1 100% avalanche tested Improved dv/dt capability 0.81+0.1 -0.1 2.54 175 maximum junction temperature rating 1gate 1Gate 2.54

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top