KQB4N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KQB4N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KQB4N50

KQB4N50 Datasheet (PDF)

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kqb4n50.pdf

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB4N50TO-263Unit: mm4.57+0.2-0.2Features +0.11.27-0.13.4A, 500 V. RDS(ON) =2.7 @VGS =10VLow gate charge (typical 10nC)Low Crss(typical 6.0pF)+0.1Fast switching 0.1max1.27-0.1100% avalanche tested0.81+0.1-0.1lmproved dv/dt capability2.541gate1Ga

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Liste

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