KQB4N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KQB4N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Encapsulados: TO-263
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KQB4N50 datasheet
kqb4n50.pdf
SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB4N50 TO-263 Unit mm 4.57+0.2 -0.2 Features +0.1 1.27-0.1 3.4A, 500 V. RDS(ON) =2.7 @VGS =10V Low gate charge (typical 10nC) Low Crss(typical 6.0pF) +0.1 Fast switching 0.1max 1.27-0.1 100% avalanche tested 0.81+0.1 -0.1 lmproved dv/dt capability 2.54 1gate 1Ga
Otros transistores... KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , MMIS60R580P , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 .
History: CS2N50DU
History: CS2N50DU
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Liste
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