Справочник MOSFET. KQB4N50

 

KQB4N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQB4N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KQB4N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB4N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  tysemi
 kqb4n50.pdf pdf_icon

KQB4N50

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB4N50TO-263Unit: mm4.57+0.2-0.2Features +0.11.27-0.13.4A, 500 V. RDS(ON) =2.7 @VGS =10VLow gate charge (typical 10nC)Low Crss(typical 6.0pF)+0.1Fast switching 0.1max1.27-0.1100% avalanche tested0.81+0.1-0.1lmproved dv/dt capability2.541gate1Ga

Другие MOSFET... KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , 2N7002 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 .

History: 2SK3434-Z | 2SK3554-01 | PMN40UPE | 2SK260 | 2SK2666 | SPI08N80C3 | CHM9926AJGP

 

 
Back to Top

 


 
.