KQB4N50 - описание и поиск аналогов

 

KQB4N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQB4N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KQB4N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB4N50 даташит

 ..1. Size:149K  tysemi
 kqb4n50.pdf pdf_icon

KQB4N50

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB4N50 TO-263 Unit mm 4.57+0.2 -0.2 Features +0.1 1.27-0.1 3.4A, 500 V. RDS(ON) =2.7 @VGS =10V Low gate charge (typical 10nC) Low Crss(typical 6.0pF) +0.1 Fast switching 0.1max 1.27-0.1 100% avalanche tested 0.81+0.1 -0.1 lmproved dv/dt capability 2.54 1gate 1Ga

Другие MOSFET... KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , MMIS60R580P , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.