Справочник MOSFET. KQB4N50

 

KQB4N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQB4N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB4N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  tysemi
 kqb4n50.pdf pdf_icon

KQB4N50

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB4N50TO-263Unit: mm4.57+0.2-0.2Features +0.11.27-0.13.4A, 500 V. RDS(ON) =2.7 @VGS =10VLow gate charge (typical 10nC)Low Crss(typical 6.0pF)+0.1Fast switching 0.1max1.27-0.1100% avalanche tested0.81+0.1-0.1lmproved dv/dt capability2.541gate1Ga

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.