KQB4P40 Todos los transistores

 

KQB4P40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KQB4P40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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KQB4P40 Datasheet (PDF)

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KQB4P40

SMD Type TransistorsSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsProduct specificationKQB4P40TO-263Unit: mm4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1Features3.5A, -400V, RDS(on) =3.1 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 18 nC)Low Crss ( typical 11 pF)+0.10.1max1.27-0.1Fast switching100% avalanche tested0.81+0.1-0.1Improved dv/dt c

Otros transistores... KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , HY1906P , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 .

History: AOD780A70 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | IRHNJ57234SE | 2N6917 | PE532DX

 

 
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