KQB4P40 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KQB4P40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.1 Ohm
Encapsulados: TO-263
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KQB4P40 datasheet
kqb4p40.pdf
SMD Type Transistors SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors Product specification KQB4P40 TO-263 Unit mm 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 Features 3.5A, -400V, RDS(on) =3.1 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 18 nC) Low Crss ( typical 11 pF) +0.1 0.1max 1.27-0.1 Fast switching 100% avalanche tested 0.81+0.1 -0.1 Improved dv/dt c
Otros transistores... KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , AOD4184A , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 .
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