KQB4P40 - описание и поиск аналогов

 

KQB4P40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQB4P40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.1 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KQB4P40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB4P40 даташит

 ..1. Size:171K  tysemi
 kqb4p40.pdf pdf_icon

KQB4P40

SMD Type Transistors SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors Product specification KQB4P40 TO-263 Unit mm 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 Features 3.5A, -400V, RDS(on) =3.1 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 18 nC) Low Crss ( typical 11 pF) +0.1 0.1max 1.27-0.1 Fast switching 100% avalanche tested 0.81+0.1 -0.1 Improved dv/dt c

Другие MOSFET... KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , AOD4184A , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 .

History: CS18N50V | FC4B22070L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.