Справочник MOSFET. KQB4P40

 

KQB4P40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQB4P40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB4P40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  tysemi
 kqb4p40.pdf pdf_icon

KQB4P40

SMD Type TransistorsSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsProduct specificationKQB4P40TO-263Unit: mm4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1Features3.5A, -400V, RDS(on) =3.1 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 18 nC)Low Crss ( typical 11 pF)+0.10.1max1.27-0.1Fast switching100% avalanche tested0.81+0.1-0.1Improved dv/dt c

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF2454A

 

 
Back to Top

 


 
.