KQB5N60 Todos los transistores

 

KQB5N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KQB5N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-263

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KQB5N60 datasheet

 ..1. Size:185K  tysemi
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KQB5N60

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB5N60 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 5.0A, 600 V. RDS(ON) =2.0 @VGS =10V 1.27-0.1 Low gate charge (typical 16nC) Low Crss(typical 9.0pF) Fast switching +0.1 0.1max 100% avalanche teste

 9.1. Size:167K  tysemi
kqb5n20.pdf pdf_icon

KQB5N60

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB5N20 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 4.5A, 200 V. RDS(ON) =1.2 @VGS =10V Low gate charge (typical 6.0nC) Low Crss(typical 6.0pF) Fast switching +0.1 0.1max 1.27-0.1 100% avalanche tested lmproved dv/dt capabi

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