Справочник MOSFET. KQB5N60

 

KQB5N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQB5N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KQB5N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB5N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  tysemi
 kqb5n60.pdf pdf_icon

KQB5N60

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB5N60TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.15.0A, 600 V. RDS(ON) =2.0 @VGS =10V1.27-0.1Low gate charge (typical 16nC)Low Crss(typical 9.0pF)Fast switching+0.10.1max100% avalanche teste

 9.1. Size:167K  tysemi
 kqb5n20.pdf pdf_icon

KQB5N60

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB5N20TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.14.5A, 200 V. RDS(ON) =1.2 @VGS =10VLow gate charge (typical 6.0nC)Low Crss(typical 6.0pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche testedlmproved dv/dt capabi

Другие MOSFET... KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , AO4468 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.