KQB5N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KQB5N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: TO-263
KQB5N60 Datasheet (PDF)
kqb5n60.pdf
SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB5N60TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.15.0A, 600 V. RDS(ON) =2.0 @VGS =10V1.27-0.1Low gate charge (typical 16nC)Low Crss(typical 9.0pF)Fast switching+0.10.1max100% avalanche teste
kqb5n20.pdf
SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB5N20TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.14.5A, 200 V. RDS(ON) =1.2 @VGS =10VLow gate charge (typical 6.0nC)Low Crss(typical 6.0pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche testedlmproved dv/dt capabi
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
