KQB5N60 - описание и поиск аналогов

 

KQB5N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQB5N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KQB5N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB5N60 даташит

 ..1. Size:185K  tysemi
 kqb5n60.pdf pdf_icon

KQB5N60

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB5N60 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 5.0A, 600 V. RDS(ON) =2.0 @VGS =10V 1.27-0.1 Low gate charge (typical 16nC) Low Crss(typical 9.0pF) Fast switching +0.1 0.1max 100% avalanche teste

 9.1. Size:167K  tysemi
 kqb5n20.pdf pdf_icon

KQB5N60

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB5N20 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 4.5A, 200 V. RDS(ON) =1.2 @VGS =10V Low gate charge (typical 6.0nC) Low Crss(typical 6.0pF) Fast switching +0.1 0.1max 1.27-0.1 100% avalanche tested lmproved dv/dt capabi

Другие MOSFET... KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , 60N06 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.