Справочник MOSFET. KQB5N60

 

KQB5N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KQB5N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для KQB5N60

 

 

KQB5N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  tysemi
 kqb5n60.pdf

KQB5N60 KQB5N60

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB5N60TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.15.0A, 600 V. RDS(ON) =2.0 @VGS =10V1.27-0.1Low gate charge (typical 16nC)Low Crss(typical 9.0pF)Fast switching+0.10.1max100% avalanche teste

 9.1. Size:167K  tysemi
 kqb5n20.pdf

KQB5N60 KQB5N60

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB5N20TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.14.5A, 200 V. RDS(ON) =1.2 @VGS =10VLow gate charge (typical 6.0nC)Low Crss(typical 6.0pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche testedlmproved dv/dt capabi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top