KQB630 Todos los transistores

 

KQB630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KQB630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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KQB630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  tysemi
 kqb630.pdf pdf_icon

KQB630

SMD Type ICSMD Type TransistorsProduct specificationKQB630TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.19A, 200 V. RDS(ON) =0.4 @VGS =10 VLow gate charge (typical 19nC)Low Crss(typical 35pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche testedlmproved dv/dt capability0.81+0.1-0.12.541gate1Gate2.54+0.2 +0.2-0.2 +0.15.08-0.1 0.4-0.22drain2

Otros transistores... KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , 5N50 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 .

History: IPA50R380CE | JCS10N70B | SM140R50CT2TL | NVMFD5C478N | AOE6932 | NTMFD4C20N | RHU003N03

 

 
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