KQB630 - описание и поиск аналогов

 

KQB630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQB630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KQB630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB630 даташит

 ..1. Size:113K  tysemi
 kqb630.pdf pdf_icon

KQB630

SMD Type IC SMD Type Transistors Product specification KQB630 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 9A, 200 V. RDS(ON) =0.4 @VGS =10 V Low gate charge (typical 19nC) Low Crss(typical 35pF) Fast switching +0.1 0.1max 1.27-0.1 100% avalanche tested lmproved dv/dt capability 0.81+0.1 -0.1 2.54 1gate 1Gate 2.54+0.2 +0.2 -0.2 +0.1 5.08-0.1 0.4-0.2 2drain 2

Другие MOSFET... KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , IRFP064N , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.