Справочник MOSFET. KQB630

 

KQB630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQB630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  tysemi
 kqb630.pdf pdf_icon

KQB630

SMD Type ICSMD Type TransistorsProduct specificationKQB630TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.19A, 200 V. RDS(ON) =0.4 @VGS =10 VLow gate charge (typical 19nC)Low Crss(typical 35pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche testedlmproved dv/dt capability0.81+0.1-0.12.541gate1Gate2.54+0.2 +0.2-0.2 +0.15.08-0.1 0.4-0.22drain2

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: KRF7703 | UPA1770 | IXTH10N60 | RU1HL8L | TSM4946DCS

 

 
Back to Top

 


 
.