KQB6N25 Todos los transistores

 

KQB6N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KQB6N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-263

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KQB6N25 datasheet

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KQB6N25

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB6N25 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 5.5A, 500 V. RDS(ON) =1 @VGS =10 V Low gate charge (typical 6.6nC) Low Crss(typical 7.5pF) Fast switching

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KQB6N25

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB6N70 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 6.2A, 700 V. RDS(ON) =1.5 @VGS =10V -0.2 +0.1 1.27-0.1 Low

Otros transistores... KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , AO4468 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S .

History: NTMFS5C450NT3G | FK390601

 

 

 

 

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