KQB6N25 - описание и поиск аналогов

 

KQB6N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQB6N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KQB6N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB6N25 даташит

 ..1. Size:203K  tysemi
 kqb6n25.pdf pdf_icon

KQB6N25

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB6N25 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 5.5A, 500 V. RDS(ON) =1 @VGS =10 V Low gate charge (typical 6.6nC) Low Crss(typical 7.5pF) Fast switching

 9.1. Size:221K  tysemi
 kqb6n70.pdf pdf_icon

KQB6N25

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB6N70 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 6.2A, 700 V. RDS(ON) =1.5 @VGS =10V -0.2 +0.1 1.27-0.1 Low

Другие MOSFET... KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , AO4468 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.