Справочник MOSFET. KQB6N25

 

KQB6N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQB6N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB6N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  tysemi
 kqb6n25.pdf pdf_icon

KQB6N25

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB6N25TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.15.5A, 500 V. RDS(ON) =1 @VGS =10 VLow gate charge (typical 6.6nC)Low Crss(typical 7.5pF)Fast switching

 9.1. Size:221K  tysemi
 kqb6n70.pdf pdf_icon

KQB6N25

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB6N70TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.26.2A, 700 V. RDS(ON) =1.5 @VGS =10V -0.2+0.11.27-0.1Low

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: LP2301BLT1G | SIHG47N60S | STW70N10F4 | HGI110N08AL | INK0112AM1 | 2SK1005 | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.