PHB42N03LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB42N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SOT404

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PHB42N03LT datasheet

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PHB42N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB42N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 42 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 26 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance Surface

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PHB42N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB42N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 42 A trench technology. The devic

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