PHB42N03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB42N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для PHB42N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB42N03LT даташит

 ..1. Size:49K  philips
 phb42n03lt.pdf pdf_icon

PHB42N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB42N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 42 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 26 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance Surface

 6.1. Size:53K  philips
 phb42n03t 1.pdf pdf_icon

PHB42N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB42N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 42 A trench technology. The devic

Другие IGBT... PHB21N06LT, PHB24N03LT, PHB2N50E, PHB2N60E, PHB37N06LT, PHB3N40E, PHB3N50E, PHB3N60E, 2SK3878, PHB44N06LT, PHB45N03LT, PHB4N60E, PHB50N03LT, PHB50N06LT, PHB55N03LT, PHB60N06LT, PHB65N06LT