Справочник MOSFET. PHB42N03LT

 

PHB42N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHB42N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 86 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SOT404

 Аналог (замена) для PHB42N03LT

 

 

PHB42N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  philips
 phb42n03lt.pdf

PHB42N03LT PHB42N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB42N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 42 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 26 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance Surface

 6.1. Size:53K  philips
 phb42n03t 1.pdf

PHB42N03LT PHB42N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB42N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 42 Atrench technology. The devic

Другие MOSFET... PHB21N06LT , PHB24N03LT , PHB2N50E , PHB2N60E , PHB37N06LT , PHB3N40E , PHB3N50E , PHB3N60E , 12N60 , PHB44N06LT , PHB45N03LT , PHB4N60E , PHB50N03LT , PHB50N06LT , PHB55N03LT , PHB60N06LT , PHB65N06LT .

 

 
Back to Top