KQB9N50 Todos los transistores

 

KQB9N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KQB9N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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KQB9N50 Datasheet (PDF)

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KQB9N50

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB9N50TO-263Unit: mm4.57+0.2Features -0.2+0.11.27-0.19A, 500 V. RDS(ON) =0.73 @VGS =10 VLow

Otros transistores... KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , IRFZ44N , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S .

History: LSB55R050GT | HM10P10D

 

 
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