KQB9N50 - описание и поиск аналогов

 

KQB9N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQB9N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KQB9N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB9N50 даташит

 ..1. Size:337K  tysemi
 kqb9n50.pdf pdf_icon

KQB9N50

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB9N50 TO-263 Unit mm 4.57+0.2 Features -0.2 +0.1 1.27-0.1 9A, 500 V. RDS(ON) =0.73 @VGS =10 V Low

Другие MOSFET... KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , IRFZ44N , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.