KQB9N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

KQB9N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KQB9N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KQB9N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB9N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  tysemi
 kqb9n50.pdf pdf_icon

KQB9N50

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB9N50TO-263Unit: mm4.57+0.2Features -0.2+0.11.27-0.19A, 500 V. RDS(ON) =0.73 @VGS =10 VLow

Другие MOSFET... KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , IRFZ44N , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S .

 

 
Back to Top

 


 
.