KQD1P50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KQD1P50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de KQD1P50 MOSFET
KQD1P50 Datasheet (PDF)
kqd1p50.pdf

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type TransistorsProduct specificationKQD1P50TO-252Unit: mmFeatures6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7-1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 11 nC)Low Crss ( typical 6.0 pF)0.1270.80+0.1 maxFast switching -0.1100% avalanche testedImproved d
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History: HY3N80T | IXFP26N50P3
History: HY3N80T | IXFP26N50P3



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