KQD1P50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KQD1P50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm
Encapsulados: TO-252
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KQD1P50 datasheet
kqd1p50.pdf
SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type Transistors Product specification KQD1P50 TO-252 Unit mm Features 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 -1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 11 nC) Low Crss ( typical 6.0 pF) 0.127 0.80+0.1 max Fast switching -0.1 100% avalanche tested Improved d
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History: TSA23N50M
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