KQD1P50 Todos los transistores

 

KQD1P50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KQD1P50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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KQD1P50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  tysemi
 kqd1p50.pdf pdf_icon

KQD1P50

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type TransistorsProduct specificationKQD1P50TO-252Unit: mmFeatures6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7-1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 11 nC)Low Crss ( typical 6.0 pF)0.1270.80+0.1 maxFast switching -0.1100% avalanche testedImproved d

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History: UT110N03 | JCS18N50ABE | IRFP32N50KPBF | MMP3415E | 4N90G-TA3-T | NTMFS4927NT1G | UT120N03

 

 
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