KQD1P50 - описание и поиск аналогов

 

KQD1P50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQD1P50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для KQD1P50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQD1P50 даташит

 ..1. Size:168K  tysemi
 kqd1p50.pdf pdf_icon

KQD1P50

SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type Transistors Product specification KQD1P50 TO-252 Unit mm Features 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 -1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 11 nC) Low Crss ( typical 6.0 pF) 0.127 0.80+0.1 max Fast switching -0.1 100% avalanche tested Improved d

Другие MOSFET... KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , IRF3205 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 .

History: LNG04R120 | FK390601

 

 

 

 

↑ Back to Top
.