KQD3P50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KQD3P50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KQD3P50

KQD3P50 Datasheet (PDF)

..1. Size:183K tysemi
kqd3p50.pdf

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKQD3P50TO-252Unit: mmFeatures6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7-1.2A, -500V, RDS(on) =4.9 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 18 nC)Low Crss ( typical9.5 pF)0.1270.80+0.1 max

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History: IPB80N06S2-H5

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: