KQD3P50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KQD3P50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 18 nC
   Tiempo de subida (tr): 56 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KQD3P50

KQD3P50 Datasheet (PDF)

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kqd3p50.pdf

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKQD3P50TO-252Unit: mmFeatures6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7-1.2A, -500V, RDS(on) =4.9 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 18 nC)Low Crss ( typical9.5 pF)0.1270.80+0.1 max

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Liste

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