KQD3P50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KQD3P50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm
Encapsulados: TO-252
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KQD3P50 datasheet
kqd3p50.pdf
SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors Product specification KQD3P50 TO-252 Unit mm Features 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 -1.2A, -500V, RDS(on) =4.9 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 18 nC) Low Crss ( typical9.5 pF) 0.127 0.80+0.1 max
Otros transistores... KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , IRF740 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 .
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