KQD3P50 - описание и поиск аналогов

 

KQD3P50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQD3P50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для KQD3P50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQD3P50 даташит

 ..1. Size:183K  tysemi
 kqd3p50.pdf pdf_icon

KQD3P50

SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors Product specification KQD3P50 TO-252 Unit mm Features 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 -1.2A, -500V, RDS(on) =4.9 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 18 nC) Low Crss ( typical9.5 pF) 0.127 0.80+0.1 max

Другие MOSFET... KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , IRF740 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.