Справочник MOSFET. KQD3P50

 

KQD3P50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQD3P50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KQD3P50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  tysemi
 kqd3p50.pdf pdf_icon

KQD3P50

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKQD3P50TO-252Unit: mmFeatures6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7-1.2A, -500V, RDS(on) =4.9 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 18 nC)Low Crss ( typical9.5 pF)0.1270.80+0.1 max

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.