Справочник MOSFET. KQD3P50

 

KQD3P50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQD3P50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для KQD3P50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQD3P50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  tysemi
 kqd3p50.pdf pdf_icon

KQD3P50

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKQD3P50TO-252Unit: mmFeatures6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7-1.2A, -500V, RDS(on) =4.9 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 18 nC)Low Crss ( typical9.5 pF)0.1270.80+0.1 max

Другие MOSFET... KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , IRF740 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 .

History: SVG103R0NSTR | SDF10N100JED | 2N7002ET | BUK9518-55A | AP2851GO | AM60N10-13D | HM6408

 

 
Back to Top

 


 
.