KQD5P10 Todos los transistores

 

KQD5P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KQD5P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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KQD5P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  kexin
 kqd5p10.pdf pdf_icon

KQD5P10

SMD Type ICSMD Type Transistors100V P-Channel MOSFETKQD5P10TO-252Unit: mmFeatures 6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7-3.6A, -100V, RDS(on) =1.05 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 6.3 nC)Low Crss ( typical 18 pF)0.1270.80+0.1 max-0.1Fast switching100% avalanche tested1. Gate2.3 0.60+0.1-0.1Improved dv/dt capability4.60+0.15-0.1

Otros transistores... KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , IRF840 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 , KRF7204 .

History: HCP12NK65V | AFN3414S

 

 
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