KQD5P10 Todos los transistores

 

KQD5P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KQD5P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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KQD5P10 datasheet

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KQD5P10

SMD Type IC SMD Type Transistors 100V P-Channel MOSFET KQD5P10 TO-252 Unit mm Features 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 -3.6A, -100V, RDS(on) =1.05 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 6.3 nC) Low Crss ( typical 18 pF) 0.127 0.80+0.1 max -0.1 Fast switching 100% avalanche tested 1. Gate 2.3 0.60+0.1 -0.1 Improved dv/dt capability 4.60+0.15 -0.1

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