Справочник MOSFET. KQD5P10

 

KQD5P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQD5P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для KQD5P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQD5P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  kexin
 kqd5p10.pdf pdf_icon

KQD5P10

SMD Type ICSMD Type Transistors100V P-Channel MOSFETKQD5P10TO-252Unit: mmFeatures 6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7-3.6A, -100V, RDS(on) =1.05 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 6.3 nC)Low Crss ( typical 18 pF)0.1270.80+0.1 max-0.1Fast switching100% avalanche tested1. Gate2.3 0.60+0.1-0.1Improved dv/dt capability4.60+0.15-0.1

Другие MOSFET... KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , IRF840 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 , KRF7204 .

History: TSU5N65M | FDFM2P110

 

 
Back to Top

 


 
.