KQD5P10 - описание и поиск аналогов

 

KQD5P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQD5P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для KQD5P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQD5P10 даташит

 ..1. Size:63K  kexin
 kqd5p10.pdf pdf_icon

KQD5P10

SMD Type IC SMD Type Transistors 100V P-Channel MOSFET KQD5P10 TO-252 Unit mm Features 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 -3.6A, -100V, RDS(on) =1.05 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 6.3 nC) Low Crss ( typical 18 pF) 0.127 0.80+0.1 max -0.1 Fast switching 100% avalanche tested 1. Gate 2.3 0.60+0.1 -0.1 Improved dv/dt capability 4.60+0.15 -0.1

Другие MOSFET... KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , IRF840 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 , KRF7204 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.