Справочник MOSFET. KQD5P10

 

KQD5P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KQD5P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для KQD5P10

 

 

KQD5P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  kexin
 kqd5p10.pdf

KQD5P10 KQD5P10

SMD Type ICSMD Type Transistors100V P-Channel MOSFETKQD5P10TO-252Unit: mmFeatures 6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7-3.6A, -100V, RDS(on) =1.05 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 6.3 nC)Low Crss ( typical 18 pF)0.1270.80+0.1 max-0.1Fast switching100% avalanche tested1. Gate2.3 0.60+0.1-0.1Improved dv/dt capability4.60+0.15-0.1

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top