KQD5P10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KQD5P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для KQD5P10
KQD5P10 Datasheet (PDF)
kqd5p10.pdf

SMD Type ICSMD Type Transistors100V P-Channel MOSFETKQD5P10TO-252Unit: mmFeatures 6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7-3.6A, -100V, RDS(on) =1.05 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 6.3 nC)Low Crss ( typical 18 pF)0.1270.80+0.1 max-0.1Fast switching100% avalanche tested1. Gate2.3 0.60+0.1-0.1Improved dv/dt capability4.60+0.15-0.1
Другие MOSFET... KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , IRF840 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 , KRF7204 .
History: IRF3710SPBF
History: IRF3710SPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet