KQS4900 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KQS4900
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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KQS4900 datasheet
kqs4900.pdf
SMD Type IC SMD Type IC Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET KQS4900 Features N-Channel 1.3 A, 60 V RDS(ON) =0.55 @VGS =10V RDS(ON) =0.65 @VGS =5V P-Channel -0.3 A, -300V RDS(ON) =15.5 @VGS =- 10V RDS(ON) =16 @VGS =-5V Low gate charge ( typical N-Channel 1.6 nC) ( typical P-Channel 3.6 nC) Fast switching Improved dv/dt capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symb
kqs4901.pdf
SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KQS4901 Features 0.45 A, 400 V. RDS(ON) =4.2 @VGS =10 V Low gate charge (typical 5.8nC) Low Crss (typical 5.0 Pf) Fast switching speed lmproved dv/dt capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol
Otros transistores... KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , 20N60 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 , KRF7204 , KRF7205 .
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