KQS4900 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KQS4900
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.95 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KQS4900

KQS4900 Datasheet (PDF)

..1. Size:58K renesas
kqs4900.pdf

SMD Type ICSMD Type ICDual N & P-Channel, Logic Level MOSFETKQS4900FeaturesN-Channel1.3 A, 60 V RDS(ON) =0.55 @VGS =10VRDS(ON) =0.65 @VGS =5VP-Channel-0.3 A, -300V RDS(ON) =15.5 @VGS =- 10VRDS(ON) =16 @VGS =-5VLow gate charge ( typical N-Channel 1.6 nC)( typical P-Channel 3.6 nC)Fast switchingImproved dv/dt capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symb

8.1. Size:173K tysemi
kqs4901.pdf

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKQS4901Features0.45 A, 400 V. RDS(ON) =4.2 @VGS =10 VLow gate charge (typical 5.8nC)Low Crss (typical 5.0 Pf)Fast switching speedlmproved dv/dt capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: