KQS4900 - аналоги и даташиты транзистора

 

KQS4900 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KQS4900
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KQS4900

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQS4900 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  renesas
 kqs4900.pdf pdf_icon

KQS4900

SMD Type ICSMD Type ICDual N & P-Channel, Logic Level MOSFETKQS4900FeaturesN-Channel1.3 A, 60 V RDS(ON) =0.55 @VGS =10VRDS(ON) =0.65 @VGS =5VP-Channel-0.3 A, -300V RDS(ON) =15.5 @VGS =- 10VRDS(ON) =16 @VGS =-5VLow gate charge ( typical N-Channel 1.6 nC)( typical P-Channel 3.6 nC)Fast switchingImproved dv/dt capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symb

 8.1. Size:173K  tysemi
 kqs4901.pdf pdf_icon

KQS4900

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKQS4901Features0.45 A, 400 V. RDS(ON) =4.2 @VGS =10 VLow gate charge (typical 5.8nC)Low Crss (typical 5.0 Pf)Fast switching speedlmproved dv/dt capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol

Другие MOSFET... KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , 20N60 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 , KRF7204 , KRF7205 .

History: KMC7D0CN20CA | KUK130-50DL | KQB2N30

 

 
Back to Top

 


 
.