KQS4900 - описание и поиск аналогов

 

KQS4900. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQS4900

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KQS4900

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQS4900 даташит

 ..1. Size:58K  renesas
 kqs4900.pdf pdf_icon

KQS4900

SMD Type IC SMD Type IC Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET KQS4900 Features N-Channel 1.3 A, 60 V RDS(ON) =0.55 @VGS =10V RDS(ON) =0.65 @VGS =5V P-Channel -0.3 A, -300V RDS(ON) =15.5 @VGS =- 10V RDS(ON) =16 @VGS =-5V Low gate charge ( typical N-Channel 1.6 nC) ( typical P-Channel 3.6 nC) Fast switching Improved dv/dt capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symb

 8.1. Size:173K  tysemi
 kqs4901.pdf pdf_icon

KQS4900

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KQS4901 Features 0.45 A, 400 V. RDS(ON) =4.2 @VGS =10 V Low gate charge (typical 5.8nC) Low Crss (typical 5.0 Pf) Fast switching speed lmproved dv/dt capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol

Другие MOSFET... KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , 20N60 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 , KRF7204 , KRF7205 .

History: AP6926GMT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.