KQS4901 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KQS4901
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KQS4901

KQS4901 Datasheet (PDF)

..1. Size:173K tysemi
kqs4901.pdf

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKQS4901Features0.45 A, 400 V. RDS(ON) =4.2 @VGS =10 VLow gate charge (typical 5.8nC)Low Crss (typical 5.0 Pf)Fast switching speedlmproved dv/dt capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol

8.1. Size:58K renesas
kqs4900.pdf

SMD Type ICSMD Type ICDual N & P-Channel, Logic Level MOSFETKQS4900FeaturesN-Channel1.3 A, 60 V RDS(ON) =0.55 @VGS =10VRDS(ON) =0.65 @VGS =5VP-Channel-0.3 A, -300V RDS(ON) =15.5 @VGS =- 10VRDS(ON) =16 @VGS =-5VLow gate charge ( typical N-Channel 1.6 nC)( typical P-Channel 3.6 nC)Fast switchingImproved dv/dt capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symb

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Liste

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