Справочник MOSFET. KQS4901

 

KQS4901 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQS4901
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KQS4901

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQS4901 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  tysemi
 kqs4901.pdf pdf_icon

KQS4901

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKQS4901Features0.45 A, 400 V. RDS(ON) =4.2 @VGS =10 VLow gate charge (typical 5.8nC)Low Crss (typical 5.0 Pf)Fast switching speedlmproved dv/dt capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol

 8.1. Size:58K  renesas
 kqs4900.pdf pdf_icon

KQS4901

SMD Type ICSMD Type ICDual N & P-Channel, Logic Level MOSFETKQS4900FeaturesN-Channel1.3 A, 60 V RDS(ON) =0.55 @VGS =10VRDS(ON) =0.65 @VGS =5VP-Channel-0.3 A, -300V RDS(ON) =15.5 @VGS =- 10VRDS(ON) =16 @VGS =-5VLow gate charge ( typical N-Channel 1.6 nC)( typical P-Channel 3.6 nC)Fast switchingImproved dv/dt capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symb

Другие MOSFET... KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , IRF540 , KRF1302S , KRF2805S , KRF4905S , KRF7104 , KRF7105 , KRF7204 , KRF7205 , KRF7220 .

History: NVTR4502P | 2SK1733 | SVG104R5NS6TR | 6N80G-TF3-T | VS6018BS | CS6661

 

 
Back to Top

 


 
.