KRF8910 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KRF8910

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0134 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KRF8910 datasheet

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KRF8910

SMD Type IC SMD Type IC HEXFET Power MOSFET KRF8910 Features Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain- Source Voltage VDS 20 V Gate-to-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current, VGS @ 10V Ta = 25 ID 10 Continuous Drain Current,VGS @ 10V TC =70 ID 8.3 A Pulsed Drain Current *1 IDM 82 Maximum Power Dissipation Ta = 25 2 PD W Maximum Power Dissipation

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