KRF8910 Todos los transistores

 

KRF8910 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KRF8910
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0134 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KRF8910 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  kexin
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KRF8910

SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF8910FeaturesAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain- Source Voltage VDS 20VGate-to-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current, VGS @ 10V Ta = 25 ID 10Continuous Drain Current,VGS @ 10V TC =70 ID 8.3 APulsed Drain Current *1 IDM 82Maximum Power Dissipation Ta = 25 2PD WMaximum Power Dissipation

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History: AP6679GH | NCE60P04R | NTMFS5C460NL

 

 
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