KRF8910 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KRF8910
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.55 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0134 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KRF8910

KRF8910 Datasheet (PDF)

..1. Size:66K kexin
krf8910.pdf

SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF8910FeaturesAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain- Source Voltage VDS 20VGate-to-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current, VGS @ 10V Ta = 25 ID 10Continuous Drain Current,VGS @ 10V TC =70 ID 8.3 APulsed Drain Current *1 IDM 82Maximum Power Dissipation Ta = 25 2PD WMaximum Power Dissipation

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2N7120

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: