KRF8910 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KRF8910
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.55 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.4 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0134 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KRF8910 Datasheet (PDF)
krf8910.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF8910FeaturesAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain- Source Voltage VDS 20VGate-to-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current, VGS @ 10V Ta = 25 ID 10Continuous Drain Current,VGS @ 10V TC =70 ID 8.3 APulsed Drain Current *1 IDM 82Maximum Power Dissipation Ta = 25 2PD WMaximum Power Dissipation
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![KRF8910](https://alltransistors.com/images/us.png)
![KRF8910](https://alltransistors.com/images/es.png)
![KRF8910](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C