Справочник MOSFET. KRF8910

 

KRF8910 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KRF8910
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.55 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0134 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для KRF8910

 

 

KRF8910 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  kexin
 krf8910.pdf

KRF8910 KRF8910

SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF8910FeaturesAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain- Source Voltage VDS 20VGate-to-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current, VGS @ 10V Ta = 25 ID 10Continuous Drain Current,VGS @ 10V TC =70 ID 8.3 APulsed Drain Current *1 IDM 82Maximum Power Dissipation Ta = 25 2PD WMaximum Power Dissipation

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top