KTHC5513 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KTHC5513
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KTHC5513

KTHC5513 Datasheet (PDF)

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kthc5513.pdf

SMD Type ICSMD Type ICPower MOSFETKTHC5513FeaturesComplementary N-Channel and P-Channel MOSFETLeadless SMD Package Featuring Complementary PairLow RDS(on) in a ChipFET Package for High Efficiency PerformanceLow Profile ( 1.10 mm) Allows Placement in Extremely ThinEnvironments Such as Portable ElectronicsAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel U

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Liste

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