KTHC5513 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTHC5513
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: CHIPFET
Búsqueda de reemplazo de KTHC5513 MOSFET
KTHC5513 Datasheet (PDF)
kthc5513.pdf

SMD Type ICSMD Type ICPower MOSFETKTHC5513FeaturesComplementary N-Channel and P-Channel MOSFETLeadless SMD Package Featuring Complementary PairLow RDS(on) in a ChipFET Package for High Efficiency PerformanceLow Profile ( 1.10 mm) Allows Placement in Extremely ThinEnvironments Such as Portable ElectronicsAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel U
Otros transistores... KRLML6402 , KSO200P03S , KSP230 , KSP92 , KSS138 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , 7N60 , KTHD3100C , KTK7132E , KTS1C1S250 , KTS3C3F30L , KU310N10F , KU3600N10W , KUK108-50DL , KUK109-50DL .
History: WMS175DN10LG4 | HY4008A | SL21N65CF | 2SK384L | 2SK3124 | VBFB16R02 | OSG70R600DSF
History: WMS175DN10LG4 | HY4008A | SL21N65CF | 2SK384L | 2SK3124 | VBFB16R02 | OSG70R600DSF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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