KTHC5513 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTHC5513

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: CHIPFET

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KTHC5513 datasheet

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KTHC5513

SMD Type IC SMD Type IC Power MOSFET KTHC5513 Features Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Leadless SMD Package Featuring Complementary Pair Low RDS(on) in a ChipFET Package for High Efficiency Performance Low Profile ( 1.10 mm) Allows Placement in Extremely Thin Environments Such as Portable Electronics Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel U

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