KTHC5513 - аналоги и даташиты транзистора

 

KTHC5513 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KTHC5513
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
 

 Аналог (замена) для KTHC5513

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTHC5513 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  kexin
 kthc5513.pdf pdf_icon

KTHC5513

SMD Type ICSMD Type ICPower MOSFETKTHC5513FeaturesComplementary N-Channel and P-Channel MOSFETLeadless SMD Package Featuring Complementary PairLow RDS(on) in a ChipFET Package for High Efficiency PerformanceLow Profile ( 1.10 mm) Allows Placement in Extremely ThinEnvironments Such as Portable ElectronicsAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel U

Другие MOSFET... KRLML6402 , KSO200P03S , KSP230 , KSP92 , KSS138 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , 7N60 , KTHD3100C , KTK7132E , KTS1C1S250 , KTS3C3F30L , KU310N10F , KU3600N10W , KUK108-50DL , KUK109-50DL .

History: S10H12R | 4N60G-TQ2-T

 

 
Back to Top

 


 
.