Справочник MOSFET. KTHC5513

 

KTHC5513 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KTHC5513
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET

 Аналог (замена) для KTHC5513

 

 

KTHC5513 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  kexin
 kthc5513.pdf

KTHC5513 KTHC5513

SMD Type ICSMD Type ICPower MOSFETKTHC5513FeaturesComplementary N-Channel and P-Channel MOSFETLeadless SMD Package Featuring Complementary PairLow RDS(on) in a ChipFET Package for High Efficiency PerformanceLow Profile ( 1.10 mm) Allows Placement in Extremely ThinEnvironments Such as Portable ElectronicsAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel U

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top