KTHC5513. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTHC5513

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: CHIPFET

Аналог (замена) для KTHC5513

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTHC5513 даташит

 ..1. Size:73K  kexin
 kthc5513.pdf pdf_icon

KTHC5513

SMD Type IC SMD Type IC Power MOSFET KTHC5513 Features Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Leadless SMD Package Featuring Complementary Pair Low RDS(on) in a ChipFET Package for High Efficiency Performance Low Profile ( 1.10 mm) Allows Placement in Extremely Thin Environments Such as Portable Electronics Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel U

Другие IGBT... KRLML6402, KSO200P03S, KSP230, KSP92, KSS138, KSS84, KTD2005, KTD2017, AO3407, KTHD3100C, KTK7132E, KTS1C1S250, KTS3C3F30L, KU310N10F, KU3600N10W, KUK108-50DL, KUK109-50DL