KTHD3100C Todos los transistores

 

KTHD3100C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTHD3100C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET
 

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KTHD3100C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  kexin
 kthd3100c.pdf pdf_icon

KTHD3100C

SMD Type ICSMD Type ICPower MOSFETKTHD3100CFeaturesComplementary N-Channel and P-Channel MOSFETLeadless SMD Package Provides Great Thermal CharacteristicsTrench P-Channel for Low On ResistanceLow Gate Charge N-Channel for Test SwitchingAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-source voltage VDSS 20 VGate-source voltage VGSS 12 8.0 V

Otros transistores... KSO200P03S , KSP230 , KSP92 , KSS138 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , 75N75 , KTK7132E , KTS1C1S250 , KTS3C3F30L , KU310N10F , KU3600N10W , KUK108-50DL , KUK109-50DL , KUK110-50GL .

History: IXFR27N80Q | WMS10DN04TS | IXFP130N10T | SSP80R160S2 | WMS15N03T1 | PP4B10BS | AP15N03GI

 

 
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