KTHD3100C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTHD3100C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: CHIPFET

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KTHD3100C datasheet

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KTHD3100C

SMD Type IC SMD Type IC Power MOSFET KTHD3100C Features Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics Trench P-Channel for Low On Resistance Low Gate Charge N-Channel for Test Switching Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-source voltage VDSS 20 V Gate-source voltage VGSS 12 8.0 V

Otros transistores... KSO200P03S, KSP230, KSP92, KSS138, KSS84, KTD2005, KTD2017, KTHC5513, 18N50, KTK7132E, KTS1C1S250, KTS3C3F30L, KU310N10F, KU3600N10W, KUK108-50DL, KUK109-50DL, KUK110-50GL