KTHD3100C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTHD3100C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: CHIPFET

Аналог (замена) для KTHD3100C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTHD3100C даташит

 ..1. Size:73K  kexin
 kthd3100c.pdf pdf_icon

KTHD3100C

SMD Type IC SMD Type IC Power MOSFET KTHD3100C Features Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics Trench P-Channel for Low On Resistance Low Gate Charge N-Channel for Test Switching Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-source voltage VDSS 20 V Gate-source voltage VGSS 12 8.0 V

Другие IGBT... KSO200P03S, KSP230, KSP92, KSS138, KSS84, KTD2005, KTD2017, KTHC5513, 18N50, KTK7132E, KTS1C1S250, KTS3C3F30L, KU310N10F, KU3600N10W, KUK108-50DL, KUK109-50DL, KUK110-50GL