Справочник MOSFET. KTHD3100C

 

KTHD3100C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KTHD3100C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET

 Аналог (замена) для KTHD3100C

 

 

KTHD3100C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  kexin
 kthd3100c.pdf

KTHD3100C KTHD3100C

SMD Type ICSMD Type ICPower MOSFETKTHD3100CFeaturesComplementary N-Channel and P-Channel MOSFETLeadless SMD Package Provides Great Thermal CharacteristicsTrench P-Channel for Low On ResistanceLow Gate Charge N-Channel for Test SwitchingAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-source voltage VDSS 20 VGate-source voltage VGSS 12 8.0 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top