KTHD3100C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KTHD3100C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: CHIPFET
Аналог (замена) для KTHD3100C
KTHD3100C Datasheet (PDF)
kthd3100c.pdf

SMD Type ICSMD Type ICPower MOSFETKTHD3100CFeaturesComplementary N-Channel and P-Channel MOSFETLeadless SMD Package Provides Great Thermal CharacteristicsTrench P-Channel for Low On ResistanceLow Gate Charge N-Channel for Test SwitchingAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-source voltage VDSS 20 VGate-source voltage VGSS 12 8.0 V
Другие MOSFET... KSO200P03S , KSP230 , KSP92 , KSS138 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , RU6888R , KTK7132E , KTS1C1S250 , KTS3C3F30L , KU310N10F , KU3600N10W , KUK108-50DL , KUK109-50DL , KUK110-50GL .
History: KTK7132E | LPSA3487



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor