Справочник MOSFET. KTHD3100C

 

KTHD3100C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KTHD3100C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
 

 Аналог (замена) для KTHD3100C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTHD3100C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  kexin
 kthd3100c.pdf pdf_icon

KTHD3100C

SMD Type ICSMD Type ICPower MOSFETKTHD3100CFeaturesComplementary N-Channel and P-Channel MOSFETLeadless SMD Package Provides Great Thermal CharacteristicsTrench P-Channel for Low On ResistanceLow Gate Charge N-Channel for Test SwitchingAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-source voltage VDSS 20 VGate-source voltage VGSS 12 8.0 V

Другие MOSFET... KSO200P03S , KSP230 , KSP92 , KSS138 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , 75N75 , KTK7132E , KTS1C1S250 , KTS3C3F30L , KU310N10F , KU3600N10W , KUK108-50DL , KUK109-50DL , KUK110-50GL .

History: IRFBF30S | SSM6J402TU | DHS020N88E | IPB160N04S2-03 | 2SK526 | AP2308GEN | SPC4527

 

 
Back to Top

 


 
.