KTK7132E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTK7132E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: TES6

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KTK7132E datasheet

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KTK7132E

KTK7132E SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS FEATURES 2.5 Gate Drive. Low Threshold Voltage Vth=0.5 1.5V. High Speed. Small Package. Enhancement-Mode. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VDSS Drain-Source Voltage 30 V VGSS Gate-Source Vol

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