KTK7132E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTK7132E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TES6

Аналог (замена) для KTK7132E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTK7132E даташит

 ..1. Size:806K  kec
 ktk7132e.pdf pdf_icon

KTK7132E

KTK7132E SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS FEATURES 2.5 Gate Drive. Low Threshold Voltage Vth=0.5 1.5V. High Speed. Small Package. Enhancement-Mode. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VDSS Drain-Source Voltage 30 V VGSS Gate-Source Vol

Другие IGBT... KSP230, KSP92, KSS138, KSS84, KTD2005, KTD2017, KTHC5513, KTHD3100C, 20N50, KTS1C1S250, KTS3C3F30L, KU310N10F, KU3600N10W, KUK108-50DL, KUK109-50DL, KUK110-50GL, KUK114-50L