PHB60N06LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB60N06LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOT404

 Búsqueda de reemplazo de PHB60N06LT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PHB60N06LT datasheet

 ..1. Size:70K  philips
 php60n06lt phb60n06lt.pdf pdf_icon

PHB60N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 6.1. Size:55K  philips
 phb60n06t 1.pdf pdf_icon

PHB60N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB60N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 58 A trench technology the devic

Otros transistores... PHB3N60E, PHB42N03LT, PHB44N06LT, PHB45N03LT, PHB4N60E, PHB50N03LT, PHB50N06LT, PHB55N03LT, K3569, PHB65N06LT, PHB69N03LT, PHB6N50E, PHB6N60E, PHB6ND50E, PHB7N60E, PHB80N06LT, PHB87N03LT