PHB60N06LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHB60N06LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 58 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOT404
Аналог (замена) для PHB60N06LT
PHB60N06LT Datasheet (PDF)
php60n06lt phb60n06lt.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance
phb60n06t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB60N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 58 Atrench technology the devic
Другие MOSFET... PHB3N60E , PHB42N03LT , PHB44N06LT , PHB45N03LT , PHB4N60E , PHB50N03LT , PHB50N06LT , PHB55N03LT , IRF1010E , PHB65N06LT , PHB69N03LT , PHB6N50E , PHB6N60E , PHB6ND50E , PHB7N60E , PHB80N06LT , PHB87N03LT .
