PHB60N06LT - аналоги и даташиты транзистора

 

PHB60N06LT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHB60N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
 

 Аналог (замена) для PHB60N06LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB60N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  philips
 php60n06lt phb60n06lt.pdf pdf_icon

PHB60N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance

 6.1. Size:55K  philips
 phb60n06t 1.pdf pdf_icon

PHB60N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB60N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 58 Atrench technology the devic

Другие MOSFET... PHB3N60E , PHB42N03LT , PHB44N06LT , PHB45N03LT , PHB4N60E , PHB50N03LT , PHB50N06LT , PHB55N03LT , 12N60 , PHB65N06LT , PHB69N03LT , PHB6N50E , PHB6N60E , PHB6ND50E , PHB7N60E , PHB80N06LT , PHB87N03LT .

History: DMP4N65 | CS64N12 | NTJS4151P | LSB60R170GT

 

 
Back to Top

 


 
.