KTS1C1S250 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTS1C1S250

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de KTS1C1S250 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KTS1C1S250 datasheet

 ..1. Size:60K  kexin
 kts1c1s250.pdf pdf_icon

KTS1C1S250

SMD Type IC SMD Type IC Mesh Overlay Power MOSFET KTS1C1S250 Features Typical RDS(on) (N-Channel)=0.9 Typical RDS(on) (N-Channel)=2.1 Gate-source zener diode Standard outline for easy automated surface mount assembly Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-Source Voltage (VGS =0) VDS 250 250 V Drain-gate Voltage (RGS =20 k ) VDGR 250 250 G

Otros transistores... KSP92, KSS138, KSS84, KTD2005, KTD2017, KTHC5513, KTHD3100C, KTK7132E, IRF520, KTS3C3F30L, KU310N10F, KU3600N10W, KUK108-50DL, KUK109-50DL, KUK110-50GL, KUK114-50L, KUK128-50DL