KTS1C1S250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KTS1C1S250
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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KTS1C1S250 Datasheet (PDF)

..1. Size:60K kexin
kts1c1s250.pdf

SMD Type ICSMD Type ICMesh Overlay Power MOSFETKTS1C1S250FeaturesTypical RDS(on) (N-Channel)=0.9Typical RDS(on) (N-Channel)=2.1Gate-source zener diodeStandard outline for easyautomated surface mount assemblyAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage (VGS =0) VDS 250 250VDrain-gate Voltage (RGS =20 k ) VDGR 250 250G

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: APT1201R6BVFRG

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: