Справочник MOSFET. KTS1C1S250

 

KTS1C1S250 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KTS1C1S250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KTS1C1S250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  kexin
 kts1c1s250.pdf pdf_icon

KTS1C1S250

SMD Type ICSMD Type ICMesh Overlay Power MOSFETKTS1C1S250FeaturesTypical RDS(on) (N-Channel)=0.9Typical RDS(on) (N-Channel)=2.1Gate-source zener diodeStandard outline for easyautomated surface mount assemblyAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage (VGS =0) VDS 250 250VDrain-gate Voltage (RGS =20 k ) VDGR 250 250G

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FDFS6N754 | JCS7N70S | SLP12N60C | CJ3134KDW | SQS462EN | PZ1003EK | SI7748DP

 

 
Back to Top

 


 
.