KTS1C1S250. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTS1C1S250

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KTS1C1S250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTS1C1S250 даташит

 ..1. Size:60K  kexin
 kts1c1s250.pdf pdf_icon

KTS1C1S250

SMD Type IC SMD Type IC Mesh Overlay Power MOSFET KTS1C1S250 Features Typical RDS(on) (N-Channel)=0.9 Typical RDS(on) (N-Channel)=2.1 Gate-source zener diode Standard outline for easy automated surface mount assembly Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-Source Voltage (VGS =0) VDS 250 250 V Drain-gate Voltage (RGS =20 k ) VDGR 250 250 G

Другие IGBT... KSP92, KSS138, KSS84, KTD2005, KTD2017, KTHC5513, KTHD3100C, KTK7132E, IRF520, KTS3C3F30L, KU310N10F, KU3600N10W, KUK108-50DL, KUK109-50DL, KUK110-50GL, KUK114-50L, KUK128-50DL