Справочник MOSFET. KTS1C1S250

 

KTS1C1S250 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KTS1C1S250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KTS1C1S250

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KTS1C1S250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  kexin
 kts1c1s250.pdf pdf_icon

KTS1C1S250

SMD Type ICSMD Type ICMesh Overlay Power MOSFETKTS1C1S250FeaturesTypical RDS(on) (N-Channel)=0.9Typical RDS(on) (N-Channel)=2.1Gate-source zener diodeStandard outline for easyautomated surface mount assemblyAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage (VGS =0) VDS 250 250VDrain-gate Voltage (RGS =20 k ) VDGR 250 250G

Другие MOSFET... KSP92 , KSS138 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , KTHD3100C , KTK7132E , CS150N03A8 , KTS3C3F30L , KU310N10F , KU3600N10W , KUK108-50DL , KUK109-50DL , KUK110-50GL , KUK114-50L , KUK128-50DL .

History: P2206BD

 

 
Back to Top

 


 
.